Samsung inicia a produción de memorias eUFS de 512 GB
martes, 5 de decembro do 2017
Cada vez é máis frecuente ver smartphones de gama media con capacidades
de almacenamento interno de 32 e 64 GB, mentres que a gama apunta aos 128 GB,
pero Samsung vai facilitar un importante paso adiante neste ámbito ao iniciar
a produción masiva da primeira memoria eUFS de 512 GB do mercado, que
permitirá capacidades de almacenamento realmente masivas, que supera a moitos
dos ordenadores portátiles que se venden actualmente.
As novas memorias están baseadas nun chip V-NAND de 512 gigabits e 64 capas,
que dobran en densidade ás unidades eUFS de 48 capas, ou sexa, que no mesmo
tamaño que un chip de 256 GB conseguen meter 512 GB, o que permitirÃa, por
exemplo, gardar 130 vÃdeos 4K de 10 minutos de duración. Estas unidades
poderÃan conseguir velocidades de lectura e escritura secuencial de 860
MB/segundo e 255 MB/segundo respectivamente, ou sexa, que serÃan 8 veces máis
rápidas que as tarxetas microSD habituais, o que xustifica optar por grandes
capacidades internas en vez de ampliar a capacidade con tarxetas externas.
Resulta evidente que tardaremos en vez móbiles con estas unidades integradas a
un prezo asumible, pero en produtos de alta gama será posible que o ano que vén
vexamos modelos que ousen incluÃr memorias internas de 512 GB, aÃnda que o seu
prezo sexa prohibitivo.