Samsung inicia a produción de memorias eUFS de 512 GB

martes, 5 de decembro do 2017 Marcus Fernández

Cada vez é máis frecuente ver smartphones de gama media con capacidades de almacenamento interno de 32 e 64 GB, mentres que a gama apunta aos 128 GB, pero Samsung vai facilitar un importante paso adiante neste ámbito ao iniciar a produción masiva da primeira memoria eUFS de 512 GB do mercado, que permitirá capacidades de almacenamento realmente masivas, que supera a moitos dos ordenadores portátiles que se venden actualmente.
As novas memorias están baseadas nun chip V-NAND de 512 gigabits e 64 capas, que dobran en densidade ás unidades eUFS de 48 capas, ou sexa, que no mesmo tamaño que un chip de 256 GB conseguen meter 512 GB, o que permitiría, por exemplo, gardar 130 vídeos 4K de 10 minutos de duración. Estas unidades poderían conseguir velocidades de lectura e escritura secuencial de 860 MB/segundo e 255 MB/segundo respectivamente, ou sexa, que serían 8 veces máis rápidas que as tarxetas microSD habituais, o que xustifica optar por grandes capacidades internas en vez de ampliar a capacidade con tarxetas externas.
Resulta evidente que tardaremos en vez móbiles con estas unidades integradas a un prezo asumible, pero en produtos de alta gama será posible que o ano que vén vexamos modelos que ousen incluír memorias internas de 512 GB, aínda que o seu prezo sexa prohibitivo.

PUBLICIDADE